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TPC811/SI1016X型n和p沟道场效应晶体管

发布时间:2017年11月29日

详细说明

星际金华低价促销【TPC811/SI1016X型n和p沟道场效应晶体管】百分百原装正品,海量库存,现货提供,价格优惠,欢迎来电看货。

TPC811:
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(*大值) 48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(*大值) 2180pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(*大值) 1W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(*大值)25 毫欧 @ 4A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOP(5.5x6.0)
封装/外壳8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

SI1016X:
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 485mA,370mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(*大值)700 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(*大值) 0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(*大值) -
功率 - *大值 250mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SC-89-6

以下型号均是我司部分库存产品:
SKY66002-11
SKY66013-11
CM600DU-24F
PM100CL1A120
PM150CL1A120
CM50E3U-24H
RM300CA-9W
CM600HG-130H
CM1800HCB-34N
PM50CLA120
PM25CLA120
PM150CL1A060
6ES7232-0HB22-0XA0
H5TQ2G63FFR-PBC
THC63LVDM83D
PS21965
TPC8111
VSC8601XKN
KLMBG4WEBC-B031
EDFA164A1PB
SI9120DY
SI1016X
EPM570T100I5N
MT29F2G08ABAEAWP
MT29F1G08ABAEAWP

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