公司名称：深圳市光华创新科技有限公司

描述
CS2N65A3R-G，硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗，改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-251，符合RoHS标准。

特征
快速切换
低导通电阻（Rdson≤5.Ω)
低栅极电荷（典型数据：9.5nC）
低反向转移电容（典型值：3pF）
l100%单脉冲雪崩能量测试
无卤素

应用
适配器和充电器的电源开关电路。