公司名称：无锡科微半导体有限司
IV2Q12080T4Z SiC 发布时间：2024年08月28日
详细说明
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET
特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·175℃操作结温度能力
·超快和健壮的固有身体二极管
·开尔文门输入放松驱动电路设计
·AEC-Q101合格
应用
·电动汽车充电器和OBCs
·太阳能助推器
·汽车压缩机逆变器
·交流/直流电源
特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·175℃操作结温度能力
·超快和健壮的固有身体二极管
·开尔文门输入放松驱动电路设计
·AEC-Q101合格
应用
·电动汽车充电器和OBCs
·太阳能助推器
·汽车压缩机逆变器
·交流/直流电源
公司产品信息
IV2Q12080T4Z瞻芯电子IV2Q12017T4Z
IV2Q12080T4Z
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ
IV3Q12013T4Z SiC
IV2Q12017T4Z
IV3Q12013T4Z 瞻芯电子
IV3Q12013T4Z- 1200V 13.5mΩ
IV1Q12080T4
IV1Q12080T4Z
IV3Q12013T4Z
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Autom
SiC MOSFET IV1Q12080T4Z
IV3Q12013T4Z
瞻芯电子IV1Q12080T4Z
IV1Q12080T4Z SiC MOSFET
SiC MOS IV2Q12080T4Z
IV2Q12017T4Z 瞻芯电子
IV2Q12017T4Z SiC MOSFET
IV2Q12017T4Z
无锡科微半导体有限司
联系人：袁先生 先生 (经理)
电 话：0510-88688160
传 真：
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地 址：中国江苏无锡市无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城7-1004
邮 编：
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