公司名称：石久高研金属材料有限公司

一氧化硅
化学符号：SiO
分 子 量：44.08
熔    点：1700℃
密    度：2.1g/cm3
折 射 率(波长/nm)：1.8-1.9(550)
                   1.7(6000)
透明波段/nm：500-8000
相对介电常数:6
损耗因数：0.015-0.02
频    率/kHz：1-103
坩    埚：Ta
蒸发源方式：Ta、Mo
沉积技术：蒸镀
溶 解 于：王水
在10-4Torr蒸发温度：850℃
薄膜的机械和化学性质：适用电阻蒸发，应用低速率。低压下快速蒸发。
应    用：保护膜，冷光膜，装饰膜
SiO分析报告：
元素       检测值ppm  元素         检测值ppm 元素        检测值ppm
Iron (Fe) 5  Copper(Cu)   <5         Nickel (Ni)   <5
Chromium (Cr) <20  Manganese (Mn)   14         Aluminium(Al)     16
Magnesium(Mg) 22