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发布时间:2016年10月24日

详细说明

原生多晶硅具有灰色金属光泽。密度2.32-2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混
酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上
即有延性,1300℃时显出明显变形。
常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎
任何材料作用。
具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业
中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥
硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下反应(氯化),再经冷凝、精馏、还原而得。 多晶硅是单质硅的
一种形态。多晶硅可作拉制单晶硅的原料,用于(是)半导体行业和太阳能。从目前来讲,要使太阳能
发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,就必须提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本。
多晶硅技术指标:电阻率>100Ω·cm(N型),电阻率>1000Ω·cm(P型);少子寿命>25μs;C<1ppma.

本公司长期高价回收:

1:降级组件、库存组件、工程拆卸组件、层压组件。

2:125单(多)晶电池片,156单(多)晶电池片,碎电池片、崩边片、缺角片。

3:原生多晶、单晶边皮、头尾料、锅底料、复拉棒、重掺硅料等各类硅料。

4:单(多)晶硅片、碎硅片,脏硅片,碎裸片、扩散片、裸片、蓝膜片。

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