6N锑化铟单晶(InSb)
发布时间:2016年12月07日
详细说明
锑化铟(InSb)单晶
1,工艺:提拉法生长锑化铟单晶;
2,纯度:6N(99.9999%)
3,检验: GDMS(全元素分析,所有的杂质元素总和低于1ppm)
4,规格:单晶棒,圆片,晶圆;
5,用途:红外探测器件,锑化铟磁阻传感器;
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