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　　输入特性?应指出当rc5降低时，f5增加，此时啊是一个固定值;K值很大时导致集电结反向偏置很大，它会扩大耗尽层域，使得基区吏小。当基区宽度更小时，对注入的少数载流子的复合就越少，在基区流过的电流也相应地减小。和cB输入特性形成对比，应注意在图4—19中输入电流是用微安培为单位绘图的。当然/g比f5或者f((J“=人/6)更小。cE段输入特性经常叫作基极特性。 图4—19 共发射极输入特性共发射极输出特性 共发射极输出特性表明了集电极电流Jc与集电极电压rcZ的关系曲线，可以确定不同/A值。这些特性经常叫作集电极特性。图4—2D表明了在v“型晶体管的cE结构中的输出待性。

　　可以由任意点上的特性确定晶体管p近似值，在图4—20中仅由某个点亡通过Jr八相除的值得到多近似值。用这个回来说明，在rcZ=3v和/B=50PA的交点上，Jc的值大约是7mA，因此在这个点上p的值是fL从=7mA/50pA=140;显然，和。一样，廖不足常量，而是依赖于晶体管工作区的特性。图中近似水平的区域是CB结构中的放大区。在这个区域里tp基本上是常量，但是随着KE会略微有所增加，我们能够从每一条曲线随啊增加而上升的情况来推导出上述结论*

　　在cB结构中，若Ke增加很大时集电极电流将会迅速地增加。当JB;o(基极断开)时.在击穿发生的位置，集电结的电流表示为BK。。对于任意晶体管，月KM的值比BrcM要小*o吨。有时也叫作“维持电压”，表示为LyM。 在解释图4—20特性时，应当认识到物是一个很小的基本恒定的值，对应每一个这样的值有一条曲线(硅晶体管大约是o.7v)。图4—21阐明了这个观点。应指出在图4—21里整个集电极到发射极电压rcz(例子里的K和K是相同的)是正向偏置电压呛和反向偏置电压电的总和，它的值很小。因此，rc5=rc6*呛，或者，对于硅晶体管是r(x“yJ2?o.7V c田此，如果吨降低为约o.7v时，rc5变为o，集电结不再反向偏置。在图4—20持将图4—14所示cD输出特性曲线和图4—20的CE输出特性曲线进行比较，得出在cE结构中，曲线急剧上升。曲线的急剧升高证明了我们所得到的结论，即与cE输入特性曲线的关系为：rcj的值越大，基区就更小，因此，基极电流就更小。但是，因为基极电流是恒量如

　　图4—20所示，结果是Jc增加。换句话说，基极将要有更少的复合发生，意味着更大比例的空穴通过结点变为集电圾电流。 很明显，在图4—20中与较大Jn对应的特性曲线可以比较小J6值对应的曲线增大更快。如图4—22所示，这些线几乎反向交于一点。这个相交点，在图4—22中，表示为rJ，称作厄尔利电压，以J.M.EMly命名，他是*一个研究这些关系的人。当然，在晶体管中不会出现K5等于厄尔利电压的情况。rJ是另一个很有用的表现晶体管行为特点的参数。在计算机仿真程序中尤其有用，例如sncE.它专门分析晶体管电路，需要全部的晶体管特性描述。

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