公司名称：武汉市雷创技术发展有限公司

MC50-B/3+NPE
特性一览表 MCD 50-B、MCD 125-B/NPE 使用优点 低保护水平（Up1.3≤kv） 在B级和C 级浪涌保护器之间，无需设计退耦装置或在两极之间保持一定的安装空间。 紧密的EMC结构 节省45%以上的安装空间 在TT和TN-S系统中，和C级浪涌保护器一同安装时，MCD 125B/NPE可以为B和C级浪涌保护器共用。 节省费用及安装空间 功能和应用领域 浪涌保护器MCD 50-B和MCD 125-B/NPE满足标准DIN、VDE 6F5 Part6（Draft 11.89）A1,A2对B类器件的需求条件，以及标准IEC61643-1（02，89）对第Ι级浪涌保护器的要求，他们与后级限压型电涌保护器配合使用时，无需设计退耦装置，可以将两极保护器安装在一起。该产品是OBO在间隙型浪涌保护器的多电极石磨堆叠技术新发展。 MCD 50-B以其低保护电压水平（Up≤1.31KV）的特性，确保了与C级浪涌保护器配合使用时，不需要设计退耦装置或者在B级和 C级之间留一定的安装距离。这样它可以节省超过45%的安装空间，MCD 50-B这个特性特别是对紧凑型Z-MC概念有着特殊的贡献。另外，NPE放电间隙MCD125-B/NPE雷击电涌保护器其大通流量的特性在TT、TN-S系统中使用，可以同时作为B和C级浪涌保护器的NPE保护模块，节省费用及安装空间。 新的MCD50-B和MCD125-B/NPE浪涌保护器周首选的应用环境是，需要有紧凑的防雷保护概念或者需要在一个独立的小型机房内安装B和C两级浪涌保护器的环境。例如：移动、微波通信基站。 安装 MCD50-B和MCD125-B/NPE的外壳尺寸满足节省空间的17.5mm宽度模数的要求，所以该装置容易安装。