公司名称：安徽赛福电子有限公司

 
 
产生及工艺：
  
    现代变速传动用静态变频器，其中半导体的开关作用产生很多的寄生信号，因此，在线路中需要电容器进行滤波、消除纹波和谐波。该自愈式金属化薄膜电容器可以作为中间电路的直流连接和谐波滤波用，同时，也可作为控制电路中的嵌位及吸收电容器。
    电容器原材料膜，经过特殊的金属化镀层—浙变方阻。通过在聚丙烯基膜的一面上进行特殊的真空蒸镀工艺，使镀层的厚度在薄膜的不同位置是产生不同的厚度。
    连接引出处，增加镀层度可以大大提高电容器处理大电流能力。而特殊的金属化镀层的结构使得自愈性能和串联电阻变得更为合理，其实际的结构构造使得电容器的性能发挥的更加彻底。同时保证了容量的稳定和精度，电感量低，大幅提高了耐大电压、涌流的强度。

技术参数Technical
Specification 
 
定容量Capacitance C (μF) 4.0μ   40μF   10μF 20μF 50μF 3μF
额定电压Rated DC voltage Un (V) 1250VDC 1400VDC 1400VDC 350VDC 500VAC
*大电流Max rms Current Imax   (A) 40A 18A 35A 35A 45A
电容量偏差 Capacitance tolerance（J）：  ±5% ±5% ±5% ±5% ±5%
dv/dt (V/μs) 20.0 20.0 20.0 20.0 800
自感量Self Inductance Rs (nH) ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10
端子间测试电压Ut-t（V） 1250V, 10S 1800V, 10S 1800V, 10S 600V, 10S 1800V, 10S
端子与外壳间测试电压Ut-c (V): 3000VAC, 60S 3000VAC, 60S 3000VAC, 60S 3000VAC, 60S 3000VAC, 60S
体积Size(mm) 74*46*49 ф50×60 ф50×60 ф50×60 50*44*50
损耗角正切：tgδ (20℃,10kHz) ≤100×10-4 ≤30×10-4 ≤50×10-4 ≤55×10-4 ≤10×10-4
 
 
 
  特点
 2    应用于大功率高频开关电源中高频脉冲电流吸收、滤波
 2    等效串联电阻小，能承受较大的纹波电流和大电流冲击
 2    自感小，高频特性好
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