公司名称:深圳市协远电子科技有限公司

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供应dspic33FJ256GP710-I/PF

发布时间:08月30日

详细说明

工作范围:
• DC – 40 MIPS (3.0-3.6V、-40°C 至+85°C 时为
40 MIPS)
• 工业级温度范围(-40°C 至+85°C)
高性能DSC CPU:
• 改进型哈佛架构
• C编译器优化的指令集
• 16位宽数据总线
• 24位宽指令
• 可寻址*大4M 指令字的线性程序存储空间
• 可寻址*大64 KB 的线性数据存储空间
• 83条基本指令:多为单字/ 单周期指令
• 16个16 位通用寄存器
• 两个40 位累加器:
- 带舍入和饱和选择
• 灵活和强大的寻址模式:
- 间接寻址、模寻址和位反转寻址
• 软件堆栈
• 16 x 16 位小数/ 整数乘法运算
• 32/16 位和16/16 位除法运算
• 单周期乘-累加运算:
- DSP运算的累加器回写操作
- 双数据取操作
• 可将*多40 位数据左移或右移*多16 位
直接存储器访问(DMA):
• 8通道硬件DMA
• 2 KB双端口DMA 缓冲区(DMA RAM),用于存
储通过DMA 传输的数据:
- 允许在CPU 执行代码期间在RAM 和外设间
传输数据(不额外占用周期)
• 大多数外设支持DMA
中断控制器:
• 中断响应延时为5 个周期
• 118个中断向量
• *多63 个中断源
• *多5 个外部中断
• 7个可编程优先级
• 5个处理器异常
数字I/O:
• *多85 个可编程数字I/O 引脚
• *多24 个引脚上具有唤醒/ 电平变化中断功能
• 输出引脚可驱动3.0V 至3.6V 的电压
• 所有数字输入引脚可承受5V 的电压
• 所有I/O 引脚的*大拉/ 灌电流为4 mA
片上闪存和SRAM:
• 闪存程序存储器,*大256 KB
• 数据SRAM,*大30 KB (包括2 KB 的DMA
RAM)
系统管理:
• 灵活的时钟选择:
- 外部振荡器、晶振、谐振器和内部RC 振荡器
- 全集成PLL
- 极低抖动PLL
• 上电延时定时器
• 振荡器起振定时器/ 稳定器
• 自带RC 振荡器的看门狗定时器
• 故障保护时钟监视器
• 多个复位源
功耗管理:
• 片上2.5V 稳压器
• 实时时钟源切换
• 可快速唤醒的空闲、休眠和打盹模式
定时器/ 捕捉/ 比较/PWM:
• 定时器/ 计数器,*多9 个16 位定时器:
- *多可以配对作为4 个32 位定时器使用
- 1个定时器可依靠外部32.768 kHz 振荡器作
为实时时钟使用
- 可编程预分频器
• 输入捕捉(*多8 路通道):
- 上升沿捕捉、下降沿捕捉或上升/ 下降沿捕捉
- 16位捕捉输入功能
- 每路捕捉通道都带有4 字深度的FIFO 缓冲区
• 输出比较(*多8 路通道):
- 1个或2 个16 位比较模式
- 16位无毛刺PWM 模式
高性能16 位数字信号控制器
通信模块:
• 3线SPI (*多2 个模块):
- 帧支持简单编解码器的I/O 接口
- 支持8 位和16 位数据
- 支持所有串行时钟格式和采样模式
• I2C™ (*多2 个模块):
- 完全支持多主机从模式
- 7位和10 位寻址
- 总线冲突检测和仲裁
- 集成信号调理
- 从地址掩码
• UART(*多2 个模块):
- 检测到地址位时产生中断
- 出现UART 错误时产生中断
- 检测到启动位时将器件从休眠模式唤醒
- 4字符深度的发送和接收FIFO 缓冲区
- LIN总线支持
- 硬件IrDA® 编解码
- 高速波特率模式
- 使用CTS 和RTS 的硬件流控制
• 数据转换器接口(Data Converter Interface,
DCI)模块:
- 编解码器接口
- 支持I2S 和AC’97 协议
- *多16 位数据字,每帧*多16 字
- 4字深度的发送和接收缓冲区
• 增强型CAN (ECAN™ 模块) 2.0B active 版本
(*多2 个模块):
- *多8 个发送缓冲区和32 个接收缓冲区
- 16个接收过滤器和3 个屏蔽寄存器
- 用于诊断和总线监视的环回模式、监听模式和
监听所有报文模式
- 收到CAN 报文时唤醒器件
- 自动处理远程发送请求
- 使用DMA 的FIFO 模式
- DeviceNet™ 寻址支持
模数转换器(Analog-to-Digital
Converters, ADC):
• 一个器件中*多2 个ADC 模块
• 10位1.1 Msps 或12 位500 Ksps 转换:
- 2、4 或8 路同时采样
- *多32 路带自动扫描功能的输入通道
- 可手动启动转换或与4 个触发源中的一个同步
- 休眠模式下仍可进行转换
- 积分非线性误差*大为±1 LSb
- 微分非线性误差*大为±1 LSb
CMOS 闪存技术:
• 低功耗高速闪存技术
• 全静态设计
• 3.3V(±10%)工作电压
• 工业级温度
• 低功耗
封装:
• 100引脚TQFP (14x14x1 mm 和12x12x1 mm)
• 80引脚TQFP (12x12x1 mm)
• 64引脚TQFP (10x10x1 mm)

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