公司名称：科睿科技有限公司

SMK0460F
先进的N沟道功率MOSFET

特点
 漏极电流（DC）=4A
?源漏耐压：BVDSS= 600V（*小）
?低反向传输电容反向传输电容=9.8pF（典型值）
?低栅极电荷QG =12NC（典型值）
?低导通内阻=2.5Ω（*大）

场效应管主要参数及含义 
符号        名称                      含义 
BVGSS     栅源耐压                   栅源之间的SiO2层很薄，耐压一般只有30～40V 
BVDSS     源漏耐压                   VGS=0，源漏反向漏电流达10uA时的VDS值 
VP        夹断电压                   在源极接地情况下，为使漏源电流输出为零时的栅源电压 
VT        开启电压                   当IDS达到1mA时，栅源之间的电压 
IGss      漏泄电流                   栅一沟道结施加反向电压下的反向电流，结型管为nA级，MOS管为pA级 
IDss      饱和漏源电流               零偏压VGS=0时的漏电流 
RGS       输入电阻                   栅源绝缘电阻，栅一沟道在反偏压下的电阻，结型管为100M Ω，MOS管为10000MΩ以上 
RDS       输出电阻                   漏极特性曲线斜率的导数，即1/RDS=△ID/△VDS 
gm        跨导                       表示栅极电压对漏极电流的控制能力 
IDs       源漏电流   
PD        耗散功率   
NF        噪声系数                   噪声是管子内载流子不规则运动引起的，场效应管要比晶体管小得多，NF愈小表示管子噪声愈小 
CGS       栅源电容                   输入电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高 
CDS       漏源电容                   输出电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高 
CGD       栅漏电容                   反馈电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高 

 科睿科技有限公司 韩国AUK MOS管一级代理商（大量库存现货同行*优势价，欢迎各采购商来电恰谈！本公司承诺所有售出产品质量

绝对保证，如在使用过程中有任何质量问题包退包换产品常年备货)


以下是高压系列常用型号

SMK0460F

SMK0765F

SMK0825F

SMK0965F

SMK1060F

以下是低压系列常用型号

STN3904S

STN3906S

STN2222A

STJ001SF

STJ004SF

型号太多无法尽列,如果你有兴趣请与我们联系,谢谢!  咨询热线：13480726678


SMK0965F广泛应用于开关电源、UPS电源、太阳能电源、SMK0825应于机箱电源、逆变器、电动车控制器、SMK0765F应用天充电器、电力电源、照明电源、军工电源、工控电源、SMK1060F应用于定制电源、电焊机、机电设备等。