公司名称：英尚微电子有限公司

产品特点（Product Features):
? Fast 35 ns Read/Write Cycle
? SRAM Compatible Timing Uses Existing SRAM Controllers Without Redesign
? Unlimited Read & Write Endurance
? Data Always Non-volatile for >20-years at Temperature
? One Memory Replaces Flash, SRAM, EEPROM and BBRAM in System for Simpler, More Efficient Design
? Replace battery-backed SRAM solutions with MRAM to eliminate battery assembly, reliability, and liability issues
? 3.3 Volt Power Supply
? Automatic Data Protection on Power Loss
? Commercial, Industrial, and Automotive Temperatures
? RoHS-Compliant SRAM-compatible TSOPII Package
? RoHS-Compliant SRAM-compatible BGA Package Shrinks Board Area By Three Times
 
产品系列（Product Family）：
Part Number
（型号）
Description
（描述）
OperatingTemperature
(操作温度） 
MR2560A08BYS35 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP  Commercial
MR2560A08BYS35R 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP  T&R Commercial
MR2560A08BMA35 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA Commercial
MR2560A08BCYS35 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP  Industrial
MR2560A08BCYS35R 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R Industrial
MR2560A08BCMA35 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA Industrial
MR2560A08BMYS35 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP  Automotive
MR2560A08BMYS35R 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R Automotive
MR2560A08BMMA35 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA Automotive
 
产品pin脚定义（Pin Diagrams ）：


我司是美国Everspin半导体中国区指定代理.
Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，
来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材
料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。 

主要代理MRAM（非易失性存储器）,可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM，EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有：

串口：256Kbit,1Mbit,4Mbit

型号                容量     数据结构    总线速度     工作电压     工作温度     封装
MR25H256     256Kb     32K*8       40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN
MR25H10       1Mb       128K*8      40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN
MR25H40       4Mb       512K*8      40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN,8-DIP


并口（*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号                 容量     数据结构    总线速度     工作电压                工作温度     封装
MR256A08B       256Kb     32K*8       35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA
MR0A08B           1Mb       128K*8      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA
MR0D08B           1Mb       128K*8      45ns         2.7V~3.6V,I/O 1.8V      Blank       48-BGA
MR2A08A           4Mb       512K*8      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA
MR4A08B           16Mb      2Mb*8       35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA


并口（*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit
型号                容量     数据结构    总线速度     工作电压                工作温度     封装
MR0A16A         1Mb       64K*16      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA
MR2A16A         4Mb       256K*16      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA
MR4A16B         16Mb      1Mb*16       35ns         2.7V~3.6V               C,M         54TSOP,48-BGA


如有需要请随时和我们联系. 
我们原厂供货，价格&交期较有优势.
谢谢！
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Coco Lee(李女士)
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英尚国际有限公司
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