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主推ZF7N65封装TO220F650V高压MOSFET场效应管

发布时间:07月31日

详细说明

MOSFET管工作原理:
衬底材料为P型硅,源区和漏区均为N+区。在栅极电压为零时,由于氧化层中正电荷的作用使半导体表面耗尽但未形成导电沟道。当在栅极加上正电压是,表面有耗尽层变为反型层,当Vgs=Vt(阈值电压)表面发生强反型,即形成n型沟道,则此时加在栅极上的电压Vt即为MOS管的开启电压。在此时,如果在漏源之间加正电压,电子就能够从源极流向漏极,形成漏极向源极的电流。

MOSFET管应用领域:
Adopter电源适配器 LED驱动 LED电源
Electronics Rectifier电子镇流器
Switch Mode Power Supplier开关电源等各类功率开关电路

MOSFET特点:
Shorter Switch Time开关时间短
Lower RDS(ON)通态电阻小
ESD Improved Capability
RoHS Product符合 RoHS标准

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