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华润华晶CS14N10A3

发布时间:2022年11月24日

详细说明

描述
CS14N10A3,硅N沟道增强型VDMOSFET,通过高密度沟槽获得降低传导损耗、改善开关的技术性能并增强雪崩能量。此设备是适合用作负载开关和PWM应用。这个包装形式为TO-251,符合RoHS标准。

特征
•快速切换
•低导通电阻(Rdson≤150米Ω)
•低栅极电荷
•低反向转移电容
•100%单脉冲雪崩能量测试

应用
适配器和充电器的电源开关电路

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